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High Quality InxGa1-xAs (x: 0.08 – 0.13) Crystal Growth for Substrates of λ= 1.3 μm Laser Diodes by the Travelling Liquidus-Zone Method

机译：高质量的inxga1-xas（x：0.08-0.13）λ=1.3μm激光二极管基板的晶体生长通过行进液相区法

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Kyoichi Kinoshita; Shinichi Yo;
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年度 2012
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