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机译:0.80eV光射电铟氮化物纳米线的生长和形态
M. C. Johnson; C. J. Lee; E. D. Bourret-Courchesne; S. L. Konsek; S. Aloni; W. Q. Han; A. Zettl;
机译:0.80 eV发光氮化铟纳米线的生长和形貌
机译:控制氮化铟和氮化铟镓纳米线的生长
机译:通过局部激光加热的长度控制和选择性生长单个氮化铟纳米线
机译:化学气相沉积和电学表征的氮化铟纳米线生长
机译:氮化铟纳米线在硅上的外延生长,表征和太阳能电池应用。
机译:铟锡氧化物涂层二氧化硅上单晶GaN纳米线的直接生长
机译:反应蒸汽输运中1D晶体生长的机理:氮化铟纳米线
机译:磷化铟覆盖的氮化铟纳米线的制造方法
机译:通过金属有机化学气相沉积异质外延生长高质量N面氮化镓,氮化铟和氮化铝及其合金的方法
机译:形成可用于制造半导体的氮化铟镓的步骤包括:以特定的生长速率部分分解含氮的前驱物以形成氮离子,并分解III族前驱物以形成铟和镓离子。
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