首页> 外文OA文献 >Comment on “Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed”

【2h】

Comment on “Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed”

机译：评论“金属半导体场效应晶体管具有MOS2 /导电NIOX VAN DER WAALS SCOTTKY接口，用于内在的高移动性和光学开养速度”

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Zhenyu Yang; Jingli Wang; Lei Liao;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2016
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
专利

1. Comment on "Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed" [J] . Yang Zhenyu, Wang Jingli, Liao Lei ACS nano . 2016,第2期

机译：关于“具有MoS2 /导电NiOx van der Waals肖特基界面的金属半导体场效应晶体管，以实现固有的高迁移率和光开关速度”的评论
2. Reply to "Comment on 'Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed" [J] . Kim Jin Sung, Lee Hee Sung, Im Seongil ACS nano . 2016,第2期

机译：答复“关于具有固有高迁移率和光开关速度的MoS2 /导电NiOx van der Waals Schottky接口的'金属半导体场效应晶体管的评论”
3. Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed [J] . Lee Hee Sung, Baik Seung Su, Lee Kimoon, ACS nano . 2015,第8期

机译：具有MoS2 /导电NiOx van der Waals肖特基界面的金属半导体场效应晶体管，可实现固有的高迁移率和光开关速度
4. Flexible Logic Circuits by using Van Der Waals Contacted Graphene Field-Effect Transistors [C] . Fengyuan Liu, Nivasan Yogeswaran, William Navaraj, IEEE International Symposium on Circuits and Systems . 2019

机译：使用Van Der Waals接触式石墨烯场效应晶体管的灵活逻辑电路
5. Post-shrink Schottky-source metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. [D] . Liao, Joy Yi-Yin. 1999

机译：后收缩肖特基源极金属氧化物半导体场效应晶体管。
6. Asymmetric Schottky Contacts in van der Waals Metal-Semiconductor-Metal Structures Based on Two-Dimensional Janus Materials [O] . Jia Liu, Ji-Chang Ren, Tao Shen, 2020

机译：van der WALS金属半导体 - 金属结构的不对称肖特基触点基于二维Janus材料
7. Cover Picture: Structure of van der Waals bound hybrids of organic semiconductors and transition metal dichalcogenides: the case of acene films on MoS2 (Phys. Status Solidi RRL 12/2016) [O] . Tobias Breuer, Tobias Maßmeyer, Alexander Mänz, 2016

机译：封面图片：van der Wa的结构有机半导体和过渡金属二甲硅藻的混合物：MOS2上的丙烯薄膜的情况（物理。现实SOLIDI RRL 12/2016）

Comment on “Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed”

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅