机译:P掺杂剂触发了新的基底平面有源位点和MOS2纳米片中的剧本间距,朝向电催化氢气进化
机译:增强MOS2 / RGO:钒,氮掺杂剂的增强氢演化引发了新的活性位点和扩展层间
机译:具有膨胀层间距对电催化氢进化反应的膨胀层间间距,可控纯石墨烯氧化物的可控夹着。电催化氢气进化反应
机译:触发单层MOS2的基底平面活性位点,用于通过磷掺杂的氢进化反应
机译:通过微波辅助合成在石墨烯上生长的免费MOS2纳米片作为高效催化剂的氢进化
机译:酰基辅酶A脱氢酶家族中活性位点碱基的反应性。
机译:MoS2单层纳米片基面的过渡金属原子掺杂用于电化学制氢
机译:基于2D拖把/ MOS2异质结构纳米液中性介质的有效电催化氢化