首页> 外文OA文献 >Coupled electronic and atomic effects on defect evolution in silicon carbide under ion irradiation

【2h】

Coupled electronic and atomic effects on defect evolution in silicon carbide under ion irradiation

机译：离子照射下碳化硅缺陷演化的耦合电子和原子作用

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Yanwen Zhang; Haizhou Xue; Eva Zarkadoula; Ritesh Sachan; Christopher Ostrouchov; Peng Liu; Xue-lin Wang; Shuo Zhang; Tie Shan Wang; William J. Weber;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Coupled electronic and atomic effects on defect evolution in silicon carbide under ion irradiation [J] . Zhang Yanwen, Xue Haizhou, Zarkadoula Eva, Current opinion in solid state & materials science . 2017,第6期

机译：离子照射下碳化硅缺陷演化的耦合电子和原子作用
2. Atomic-Scale Electronic Characterization of Defects in Silicon Carbide Nanowires by Electron Energy-Loss Spectroscopy [J] . Luna Lunet E., Gardner David, Radmilovic Velimir, The journal of physical chemistry, C. Nanomaterials and interfaces . 2018,第22期

机译：电子能损光谱通过碳化硅纳米线缺陷的原子尺度电子表征
3. Defect structure and evolution in silicon carbide irradiated to 1 dpa-SiC at 1100 degrees C [J] . Senor DJ., Youngblood GE., Greenwood LR., Journal of Nuclear Materials: Materials Aspects of Fission and Fusion . 2003,第2a3期

机译：在1100摄氏度下辐照1 dpa-SiC的碳化硅的缺陷结构和演化。
4. Dopant dynamics and defects evolution in implanted silicon under laser irradiations: A coupled continuum and kinetic Monte Carlo approach [C] . Fisicaro G., Pelaz L., Aboy M., International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices . 2013

机译：激光辐照下注入的硅中的掺杂物动力学和缺陷演化：连续谱和动力学蒙特卡洛方法的耦合
5. Evolution of extended defects in PVT-grown 4H-silicon carbide single crystals. [D] . Lee, Jaewon. 2008

机译：PVT生长的4H-碳化硅单晶中扩展缺陷的演变。
6. Atomic Configuration of Point Defect Clusters in Ion-Irradiated Silicon Carbide [O] . Y. R. Lin, L. G. Chen, C. Y. Hsieh, -1

机译：离子辐照碳化硅中点缺陷簇的原子构型
7. Atomic Configuration of Point Defect Clusters in Ion-Irradiated Silicon Carbide [O] . Y. R. Lin, L. G. Chen, C. Y. Hsieh, 2017

机译：离子辐射碳化硅点缺陷簇的原子配置

Coupled electronic and atomic effects on defect evolution in silicon carbide under ion irradiation

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅