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机译:用单晶AG的杂质掺杂电阻率异常下降
Ji Young Kim; Min-Wook Oh; Seunghun Lee; Yong Chan Cho; Jang-Hee Yoon; Geun Woo Lee; Chae-Ryong Cho; Chul Hong Park; Se-Young Jeong;
机译:单晶银的杂质掺杂导致电阻率异常下降
机译:杂质,电子声子和电子对单晶Mg_(1-x)Al_xB_2电阻率的贡献
机译:杂质,声子和电子对MgB2单晶电阻率的影响
机译:磁控溅射制备具有非常薄缓冲层的透明导电掺杂杂质的ZnO薄膜的电阻率降低
机译:通过杂质掺杂调节热电氧化物的电导率和热导率
机译:磁性杂质对mn掺杂sn Te电阻率的影响
机译:锌和碲掺杂单晶镓磷化物的电学特性,
机译:使用含有杂质的抗蚀剂和含有氧的等离子体的杂质掺杂方法
机译:疏散方法能够防止磷掺杂单晶硅生产和磷掺杂单晶硅生产方法的粉尘爆炸
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