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Structural changes during the switching transition of chalcogenide selector devices

机译：Chalcogenere选择器装置切换过渡期间的结构变化

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Yuzheng Guo; Huanglong Li; Wei Zhang; John Robertson;
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年度 2019
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1. Structural changes during the switching transition of chalcogenide selector devices [J] . Guo Yuzheng, Li Huanglong, Zhang Wei, Applied Physics Letters . 2019,第16期

机译：Chalcogenere选择器装置切换过渡期间的结构变化
2. First-principles prediction of the native filament: dielectric interfaces for the possible filamentary switching mechanism in chalcogenide selector devices [J] . Li Huanglong, Chen Wenduo Journal of Applied Physics . 2020,第4期

机译：原生灯丝的第一性原理预测：硫族化物选择器设备中可能的灯丝开关机制的介电界面
3. Rapid threshold switching dynamics of co-sputtered chalcogenide Ge_(15)Te_(85) device for selector application [J] . Sengottaiyan Rathinavelu, Saxena Nishant, Shukla Krishna Dayal, Semiconductor science and technology . 2021,第1期

机译：用于选择器应用的共溅射硫属化物GE_（85）TE_（85）装置的快速阈值切换动力学
4. Performance of threshold switching in chalcogenide glass for 3D stackable selector [C] . Kim Sungho, Kim Young-Bae, Kim Kyung Min, Symposium on VLSI Technology . 2013

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5. Study of Thermal-induced Threshold Switching Devices for Selector Applications [D] . Li, Dasheng. 2018

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6. Materials Selection and Mechanism of Non-linear Conduction in Chalcogenide Selector Devices [O] . Huanglong Li, John Robertson -1

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7. Electrical Switching Studies of Chalcogenide-Based Ion-Conducting Variable Resistance Devices [O] . Cook Beth Rose 2011

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