机译:III-V半导体(GaAs,GaP,InP)中钒的光谱和EPR参数的研究
机译:〜(84)Kr(394 MeV),〜(209)Bi(710 MeV)和〜(238)U(1300 MeV)快速离子辐照的GaAs单晶中的损伤分布
机译:MEV HE ION RBS损伤生产和退火的差距
机译:Tlingap和TlingaAs的生长与温度无关的带隙能量III-V半导体
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:III-V半导体中的MeV离子损伤:GaAs和GaP晶体中应变的饱和和热退火
机译:基于BCl3的化学中III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第1部分:Gaas,GaN,Gap,Gasb和alGaas;应用表面科学