Pulsed Large Signal RF Performance of Field-Plated Ga2O3 MOSFETs

机译：脉冲大信号RF性能的现场电镀GA2O3 MOSFET

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Manikant Singh; Michael A. Casbon; Michael J. Uren; James W. Pomeroy; Stefano Dalcanale; Serge Karboyan; Paul J. Tasker; Man Hoi Wong; Kohei Sasaki; Akito Kuramata; Shigenobu Yamakoshi; Masataka Higashiwaki; Martin Kuball;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2018
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Field-Plated Lateral Ga2O3 MOSFETs With Polymer Passivation and 8.03 kV Breakdown Voltage [J] . Sharma Shivam, Zeng Ke, Saha Sudipto, IEEE Electron Device Letters . 2020,第6期

机译：具有聚合物钝化和8.03kV击穿电压的现场电镀横向Ga2O3 MOSFET
2. Self-Heating Characterization of β -Ga2O3 Thin-Channel MOSFETs by Pulsed I – V and Raman Nanothermography [J] . Blumenschein Nicholas A., Moser Neil A., Heller Eric R., IEEE Transactions on Electron Devices . 2020,第1期

机译：脉冲I-V和拉曼纳米术β-Ga2O3薄通道MOSFET的自热表征
3. Performance drifts of N-MOSFETs under pulsed RF life test [J] . M.A. Belaied, M. Gares, K. Daoud, Microelectronics & Reliability . 2014,第9a10期

机译：N-MOSFET在脉冲RF寿命测试下的性能漂移
4. Investigation of thermal effects in β-Ga2O3 MOSFET using pulsed IV [C] . Neil A. Moser, Antonio Crespo, Stephen E. Tetlak, Annual Device Research Conference . 2016

机译：使用脉冲IV研究β-Ga2O3MOSFET中的热效应
5. Probing superfluid acceleration in superconductors with fast pulsed signals. [D] . Saracila, Gabriel Florin. 2008

机译：用快速脉冲信号探测超导体中的超流体加速度。
6. Use of Bilayer Gate Insulator in GaN-on-Si Vertical Trench MOSFETs: Impact on Performance and Reliability [O] . Kalparupa Mukherjee, Carlo De Santi, Matteo Borga, 2020

机译：使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中：对性能和可靠性的影响
7. Improving Switching Performance of Power MOSFETs Used in High Rep-Rate, Short Pulse, High-Power Pulsers [O] . Cook, E G 2006

机译：提高用于高重复频率，短脉冲，高功率脉冲发生器的功率mOsFET的开关性能
8. Improving Switching Performance of Power MOSFETs Used in High Rep-Rate, Short Pulse, High-Power Pulsers [R] . Cook, E. G. 2006

机译：提高用于高重复频率，短脉冲，高功率脉冲发生器的功率mOsFET的开关性能

Pulsed Large Signal RF Performance of Field-Plated Ga2O3 MOSFETs

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅