首页> 外文OA文献 >A Unified Channel Thermal Noise Model for Short Channel MOS Transistors

【2h】

A Unified Channel Thermal Noise Model for Short Channel MOS Transistors

机译：短通道MOS晶体管的统一信道热噪声模型

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Sang Dae Yu;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2013
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. A Unified Channel Thermal Noise Model for Short Channel MOS Transistors [J] . Sang Dae Yu Journal of semiconductor technology and science . 2013,第3期

机译：短通道MOS晶体管的统一通道热噪声模型
2. Accurate Extraction of Excess Channel Thermal Noise Coefficient in Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field-Effect Transistor Model 4 [J] . Jongwook Jeon, Jaehong Lee, Chan Hyeong Park, Japanese journal of applied physics . 2009,第4issue2期

机译：伯克利短通道绝缘栅场效应晶体管模型4中多余通道热噪声系数的准确提取
3. Modeling Short-channel Effects In Channel Thermal Noise And Induced-gate Noise In Mqsfets In The Nqs Regime [J] . Sunil Vallur, R.P. Jindal Solid-State Electronics . 2009,第1期

机译：在Nqs区域中对Mqsfets中的通道热噪声和感应门噪声的短通道效应建模
4. A mathematical model of ground-noise for short-channel transistors [C] . Feferko M., John W., Reichl H., Electromagnetic Compatibility, 2001. EMC. 2001 IEEE International Symposium on . 2001

机译：短沟道晶体管的地噪声数学模型
5. A UNIFIED MOS DEVICE MODEL FOR CIRCUIT SIMULATION (NON-RECIPROCAL CAPACITANCE, MODEL CONTINUITY, SHORT-CHANNEL, STRONG-INVERSION) [D] . KUENG, JEFFREY STEPHEN 1986

机译：用于电路仿真的统一MOS器件模型（非矩形电容，模型连续性，短通道，强反演）
6. Evaluation of Channelized Hotelling Observer with Internal-Noise Model in a Train-Test Paradigm for Cardiac SPECT defect detection [O] . Jovan G. Brankov -1

机译：在内部SPECT缺陷检测的训练模型中采用内部噪声模型评估通道化Hotelling观测器。
7. Complete high-frequency thermal noise modeling of short-channel MOSFET’s and design of 5.2-GHz low noise amplifier [O] . Kwangseok Han, Joonho Gil, Seong-sik Song, 2005

机译：完成短沟道mOsFET的高频热噪声建模和5.2 GHz低噪声放大器的设计
8. Modelling Short Channel MOSFETS (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) for Use in VLSI. [R] . klafter, a. pilorz, s. 1986

机译：用于VLsI的短沟道mOsFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的建模。

A Unified Channel Thermal Noise Model for Short Channel MOS Transistors

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅