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Comparative Study of Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Different MOS Capacitances

机译：不同MOS电容的负电容场效应晶体管的比较研究

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Jing Li; Yan Liu; Genquan Han; Jiuren Zhou; Yue Hao;
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年度 2019
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1. Comparative Study of Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Different MOS Capacitances [J] . Jing Li, Yan Liu, Genquan Han, Nanoscale Research Letters . 2019,第1期

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2. Simulation-based study of negative-capacitance double-gate tunnel field-effect transistor with ferroelectric gate stack [J] . Liu Chien, Chen Ping-Guang, Xie Meng-Jie, Japanese journal of applied physics . 2016,第4s期

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