机译:用于中子生产的绝对差异横截面由$ SP 2 $ H(d,n)$ sup 3 $ he sup 3 $ he e / sub d /从6到17 mev和$ sup 3 $ h(p,n)$ Sup 3 $他与E / Sub P / 6到16 MeV的反应
机译:在中子能为10-12 MeV的锆的某些同位素上的(n,p),(n,alpha)和(n,2n)反应的截面以及使用14 MeV d(是)中子谱。
机译:氘能诱导的反应在102 MeV的入射时双差中子产生截面的系统测量
机译:用于300 MeV和392 MeV质子诱导的反应的质子产生双微分截面
机译:用于连续中子入射反应的中子制作双差分横截面的测量达100米
机译:在300 MeV和700 MeV之间的光子能量下,反应γn→π0n的微分截面
机译:36AR(dα)34mcl40ar(dα)38cl和40ar(dp)低于8.4 mev的41ar核反应的横截面
机译:横截面和差分光谱,用于2-20 meV中子的反应/ sup nat / ni
机译:中子产生的绝对差分截面由exp 2 H(D,N)exp 3 He与E / sub D / 6至17 mev反应和由exp 3 H(p,N)exp 3 He与E /反应生成sub p / 6至16 mev