首页> 外文OA文献 >Control of Surface Fermi Level Position by Controlling Crystal Defects near the GaAs(001) Surface.

【2h】

Control of Surface Fermi Level Position by Controlling Crystal Defects near the GaAs(001) Surface.

机译：通过控制GaAs（001）表面附近的晶体缺陷来控制表面费米水平位置。

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Yukihiro HIROTA; Fumihiko MAEDA; Yoshio WATANABE; Toshio OGINO;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1997
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Fermi Level Positions and Induced Band Bending at Single Crystalline Anatase (101) and (001) Surfaces: Origin of the Enhanced Photocatalytic Activity of Facet Engineered Crystals [J] . Kashiwaya Shun, Toupance Thierry, Klein Andreas, Advanced energy materials . 2018,第33期

机译：单晶锐钛矿（101）和（001）表面上的费米能级位置和诱导的带弯曲：刻面工程晶体增强的光催化活性的起源
2. Formation of GaAs wire structures and position-controlled In_(0.8)Ga_(0.2)As quantum dots on SiO_2-patterned vicinal (001) GaAs substrates [J] . Hyo Jin Kim, Junichi Motohisa, Takashi Fukui Nanotechnology . 2004,第3期

机译：在SiO_2图案邻域（001）GaAs衬底上形成GaAs线结构和位置控制的In_（0.8）Ga_（0.2）As量子点
3. Effect of Electric Dipoles on Fermi Level Positioning at the Interface between Ultrathin Al2O3 Films and Differently Reconstructed ln_(0.53)Ga_(0.47)As(001) Surfaces [J] . Carlo Grazianetti, Alessandro Molle, Grazia Tallarida The journal of physical chemistry, C. Nanomaterials and interfaces . 2012,第35期

机译：电偶极子对超薄Al2O3薄膜和不同重构的ln_（0.53）Ga_（0.47）As（001）表面之间的费米能级定位的影响
4. Controlled surface fermi-level on the SeS_2-Passivated n-GaAs(100) [C] . J.Sun, F.J.Himpsel, T.F.Kuech Defect and impurity engineered semiconductors II . 1998

机译：SeS_2钝化的n-GaAs（100）上的受控表面费米能级
5. The structure of low-coverage titanium and vanadium on the aluminum(001) crystal surface. [D] . Kopczyk, Michael. 2010

机译：铝（001）晶体表面上低覆盖率的钛和钒的结构。
6. Controlling the Energy-Level Alignment of SiliconCarbide Nanocrystals by Combining Surface Chemistry with Quantum Confinement [O] . Atta Ul Haq, Marius Buerkle, Sadegh Askari, -1

机译：控制硅的能级对准表面化学与量子约束相结合的硬质合金纳米晶体
7. Defect distribution in boron-reduced GaAs crystals grown by vapour-pressure-controlled Czochralski technique [O] . F. -m. Kiesslinga, M. Albrechta, K. Irmschera, 2007

机译：用蒸气压控制的Czochralski技术生长的硼还原Gaas晶体的缺陷分布

Control of Surface Fermi Level Position by Controlling Crystal Defects near the GaAs(001) Surface.

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅