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Parametric study of cavity length and mirror reflectivity in ultralow threshold quantum well InGaAs/AlGaAs lasersud

机译:超低阈值量子阱InGaAs / AlGaAs激光器中腔长和镜面反射率的参数研究 ud

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摘要

Record low CW threshold currents of 16 μA at-room temperature and 21 μA at cryogenic temperature have been demonstrated in buried heterostructure strained layer, single quantum well InGaAs/AlGaAs lasers with a short cavity length and high reflectivity coatings.
机译:在埋入异质结构应变层,具有短腔长和高反射率涂层的埋入异质结构应变层,单量子阱InGaAs / AlGaAs激光器中,已证明创纪录的低CW阈值电流在室温下为16μA,在低温下为21μA。

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