机译:沟道缩放对原子层沉积制备的氧化锌薄膜晶体管的影响
机译:沉积温度对氧化物薄膜晶体管用原子层沉积制备的氧化物薄膜晶体管器件特性的影响
机译:使用原子层沉积生长的多层沟道增强氧化物薄膜晶体管的电稳定性
机译:使用在150°C下通过原子层沉积制备的In-Ga-Zn-O有源沟道的氧化物薄膜晶体管的低温工艺兼容性
机译:通过原子层沉积制备的薄膜赤铁矿的改性可改善太阳能水的氧化。
机译:Do掺杂对通过原子层沉积沉积的氧化锌薄膜晶体管中态密度的影响
机译:在2 V下工作的有机薄膜晶体管中通过原子层沉积制备的氧化铝:与UV-臭氧氧化的比较