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Fabrication of nanometer size photoresist wire patterns with a silver nanocrystal shadowmask

机译:带有银纳米晶体荫罩的纳米级光致抗蚀剂导线图形的制作

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摘要

In this article, we present a new method for fabricating precisely defined nanometer scale photoresist wire patterns. The Langmuir technique was utilized to form high aspect ratio lamellae, or wire patterns, of Ag nanocrystals at the air/water interface, and these patterns were transferred onto resist-coated substrates as a Langmuir–Schaeffer film and as a shadowmask. The wire patterns were transferred to the photoresist material by spatially selective electron beam exposure on the Ag nanocrystal wire shadowmask. Monte Carlo simulation was done to estimate the electron stopping power for the Ag nanocrystal shadowmask at low voltage.
机译:在本文中,我们提出了一种用于制造精确定义的纳米级光刻胶线图案的新方法。 Langmuir技术用于在空气/水界面上形成高深宽比的薄片或线状图案的Ag纳米晶体,这些图案作为Langmuir-Schaeffer膜和荫罩转移到抗蚀剂涂层的基材上。通过在银纳米晶体线荫罩上的空间选择性电子束曝光,将线图案转移到光致抗蚀剂材料上。进行了蒙特卡罗模拟,以估计低电压下银纳米晶体荫罩的电子停止能力。

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