机译:使用去耦等离子体氮化处理的电气应力探测28nm HK / mg NMOSFET的回收效率
机译:在退火温度下进行等离子体氮化处理后的28 nm N沟道场效应晶体管的扭结效应
机译:解耦等离子体氮化处理的MOSFET的SiONx和HfZrOx栅极电介质的电特性比较
机译:在90nm去耦等离子体氮化氧氮化物栅cmosfet上的负偏差不稳定性
机译:用于金属氧化物半导体栅极介电应用的二氧化硅远程等离子体氮化研究。
机译:与第三代THA相比第四代陶瓷对THA的中期结局有所改善但不能解决噪音问题:单芯片系统的队列研究
机译:去耦等离子体氮化过程改善负偏置温度不稳定性
机译:JFET,mOsFET及相关器件中的闪烁噪声和热电子噪声研究