机译:S / C掺杂的TiO2锐钛矿(101)表面的电子结构:第一性原理计算
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机译:MeAs / GaAs(001)多层膜和GaAs表面的第一性原理电子结构计算
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:掺杂元素(SiCrW和Nb)对第一原理计算的MoALB相位稳定性力学性能和电子结构的影响
机译:基于第一性原理计算的N和C掺杂NiO的电子结构
机译:LiF,NaCl和mgO(100)表面的表面能和电子结构的第一性原理计算