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【2h】

1.3 pm GaAs based resonant cavity enhanced Schottky barrier internal photoemission photodetector

机译：1.3 PM基于GaAs的谐振腔增强肖特基屏障内部光电探测器

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GaAs based photodetectors operating at 1.3 μm that depend on internal photoemission as the absorption mechanism were fabricated. Quantum efficiency (QE) was increased using resonant cavity enhancement (RCE) effect.

机译：基于GaAS的光电探测器以1.3μm工作，取决于制造吸收机制的内部光曝光。使用谐振腔增强（RCE）效应增加量子效率（QE）。

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作者
N. Biyikli; I. Kimukin; E. Ozbay; G. Tuttle;
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作者单位

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年度 2000
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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