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Investigation of ultrasonic absorption in the MHz frequency range by silicon substrates with a built-in porous silicon layer

机译：用内置多孔硅层对MHz频率范围内超声波吸收的研究

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作者
J. Lascaud; T. Defforge; G. Gautier; D. Certon;
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年度 2019
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1. Investigation of ultrasonic absorption in the MHz frequency range by silicon substrates with a built-in porous silicon layer [J] . Lascaud J., Defforge T., Gautier G., Ultrasonics . 2019,第期

机译：用内置多孔硅层对MHz频率范围内超声波吸收的研究
2. Investigations of the optical absorption spectra of porous silicon layers on the Silicon backing by the nondestructive photoacoustic method [J] . Mirostaw Malinski, Lukasz Chrobak, Leszek Bychto, Thin Solid Films . 2010,第1期

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3. Investigation of the interface region between a porous silicon layer and a silicon substrate [J] . Lee KW, Park DK, Kim YY, Thin Solid Films . 2005,第1a2期

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4. A Novel Method for Fabrication of High-Frequency (>100 MHz) ZnO Ultrasonic Array Transducers on Silicon Substrates [C] . J. Y. Zhang, J. M. Gao, W. J. Xu, International Congress on Ultrasonics . 2012

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5. Development of design approaches using porous silicon that facilitate high frequency integration in silicon substrates. [D] . Itotia, Isaac Kamau. 2005

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6. Dielectric properties of porous silicon for use as a substrate for the on-chip integration of millimeter-wave devices in the frequency range 140 to 210 GHz [O] . Panagiotis Sarafis, Androula Galiouna Nassiopoulou 2014

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7. Dielectric properties of porous silicon for use as a substrate for the on-chip integration of millimeter-wave devices in the frequency range 140 to 210 GHz [O] . 2014

机译：多孔硅的介电特性，用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
8. Picosecond Photodetectors Fabricated in GaAs Layers Grown on Silicon and Silicon-on Sapphire Substrates [R] . Turner, G. W., Metze, G. M., Diadiuk, V., 1985

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