首页> 外文OA文献 >Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits

【2h】

Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits

机译：使用单量子点用于六边形BDD量子电路的GaAs单电子路径切换节点设备的特性

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Tatsuya Nakamura; Yuji Abe; Seiya Kasai; Hideki Hasegawa; Tamotsu Hashizume;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2006
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Heterogeneous integration for on-chip quantum photonic circuits with single quantum dot devices [J] . Marcelo Davanco, Jin Liu, Luca Sapienza, Nature Communications . 2017,第1期

机译：具有单量子点器件的片上量子光子电路的异构集成
2. Embedded Nanowire Network Growth and Node Device Fabrication for GaAs-Based High-Density Hexagonal Binary Decision Diagram Quantum Circuits [J] . Takahiro Tamura, Isao Tamai, Seiya Kasai, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers . 2006,第4B期

机译：基于GaAs的高密度六角二元决策图量子电路的嵌入式纳米线网络增长和节点设备制造
3. A single electron binary-decision-diagram quantum logic circuit based on Schottky wrap gate control of a GaAs nanowire hexagon [J] . Kasai S., Hasegawa H. IEEE Electron Device Letters . 2002,第8期

机译：GaAs纳米线六角形基于肖特基绕栅控制的单电子二元决策图量子逻辑电路
4. GaAs quantum wire transistors and single electron transistors using Schottky wrap gates for quantum integrated circuits [C] . S. Kasai, Y. Satoh, H. Hasegawa, International symposium on compound semiconductors . 2000

机译：GaAs量子线晶体管和使用肖特基包装栅极的单电子晶体管用于量子集成电路
5. Quantum dot circuits: Single-electron switch and few-electron quantum dots. [D] . Chan, Ian Hin-Yun. 2003

机译：量子点电路：单电子开关和少电子量子点。
6. Combined atomic force microscopy and photoluminescence imaging to select single InAs/GaAs quantum dots for quantum photonic devices [O] . Luca Sapienza, Jin Liu, Jin Dong Song, -1

机译：结合原子力显微镜和光致发光成像为量子光子器件选择单个InAs / GaAs量子点
7. A single electron binary-decision-diagram quantum logic circuit based on Schottky wrap gate control of a GaAs nanowire hexagon [O] . Kasai, S., Hasegawa, H. 2002

机译：GaAs纳米线六角形基于肖特基绕栅控制的单电子二元决策图量子逻辑电路
8. Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits [R] . Nakamura, T. , Abe, Y. , Kasai, S. , 2006

机译：用于六角形BDD量子电路的单量子点Gaas单电子路径开关节点器件的特性

Properties of a GaAs Single Electron Path Switching Node Device Using a Single Quantum Dot for Hexagonal BDD Quantum Circuits

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅