机译:具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄型全耗尽绝缘体上硅MOSFET的电势和阈值电压的解析模型
机译:具有光晕或口袋注入的完全耗尽短沟道绝缘体上硅MOSFET的亚阈值表面电势和亚阈值电流的新分析模型
机译:亚阈值区域内短通道无结DG MOSFET内的阈值电压和2D电位建模
机译:先进的薄层MOSFET的紧凑模型,在器件优化中对抑制短沟道效应具有额外的适用性
机译:用于电路仿真的统一MOS器件模型(非矩形电容,模型连续性,短通道,强反演)
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:对称双栅MOSFET的紧凑模型,包括载流子限制和短沟道效应