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【2h】

A unified theory on the effects of auger recombination in GaInAsP/InP lasers and LEDs.

机译：螺旋喷钻重组效果的统一理论。

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K. Chik;
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1. Experimental determination of the band gap dependence of Auger recombination in InGaAs/InP multiple quantum well lasers at room temperature [J] . N. F. Masse, A. R. Adams, S. J. Sweeney Applied Physics Letters . 2007,第16期

机译：室温下InGaAs / InP多量子阱激光器中俄歇复合的带隙依赖性实验确定
2. Auger recombination rates in compressively strained In/sub x/Ga/sub 1-x/As/InGaAsP/InP (0.53>or=x>or=0.73) multiquantum well lasers [J] . Davis L., Lam Y. IEEE Photonics Technology Letters . 1993,第2期

机译：压缩应变In / sub x / Ga / sub 1-x / As / InGaAsP / InP（0.53> or = x> or = 0.73）多量子阱激光器的俄歇复合率
3. Effects of well number in 1.3-/spl mu/m GaInAsP/InP GRIN-SCH strained-layer quantum-well lasers [J] . Namegaya T., Matsumoto N. IEEE Journal of Quantum Electronics . 1994,第2期

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4. Effects of Auger recombination on double heterojunction 1.3 µm GaInAsP/InP light-emitting diodes [C] . Chik K.D., SpringThorpe A.J., Devenyi T.F., Electron Devices Meeting, 1980 International . -1

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5. GaInAsP/InP Organo-Metallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE) for Quantum Box Lasers [D] . 宮本恭幸. 1988

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机译：近红外线II型II型IIP / CDS纳米晶体点中抑制闪烁和螺旋钻重组
7. Experimental determination of the band gap dependence of Auger recombination in InGaAs/InP multiple quantum well lasers at room temperature [O] . Masse, NF, Adams, AR, Sweeney, SJ 2007

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8. Unified Theory for Chain Branching Thermal Explosions with Dissociation-Recombination and Confinement Effects [R] . Birkan, M. A., Kassoy, D. R. 1986

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