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机译:O和C电信频带相变集成氮化硅光子器件的性能特征
Joaquin Faneca; Santiago Garcia-Cuevas Carrillo; Emanuele Gemo; Carlota Ruiz de Galarreta; Thalía Domínguez Bucio; Frederic Y. Gardes; Harish Bhaskaran; Wolfram H. P. Pernice; C. David Wright; Anna Baldycheva;
机译:用于3-D光子电路和器件的单片集成多层氮化硅硅波导平台
机译:多层氮化硅硅集成光子平台和设备
机译:掺锗对IV组光子集成电路中硅锗无源器件光学性能的影响
机译:用于三维集成光子器件和电路的多层硅氮化硅光子平台
机译:大带隙半导体,碳化硅和氮化镓制成的器件的性能
机译:用于在O波段泵浦的稀土掺杂电信波段放大器的富硅氮化物环形谐振器
机译:用于集成光子学和硅光子学的3D active photonics晶体器件
机译:相变存储器设备具有反相特性和具有高度集成的三维架构的相变存储器使用
机译:相变存储器具有相反的相变特性,相变存储器具有高度集成的三维结构,使用相同的结构
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