机译:底部电极的粗糙度对铂/氮化镍/镍1×1交叉式阵列电阻式随机存取存储单元的电阻转换特性的影响
机译:基于AG / HFO_2的导电桥通过原子层沉积阐述:惰性电极和HFO_2结晶度对电阻切换机构的影响
机译:原子层沉积氧化锆薄膜上的快速热退火,以增强电阻式开关特性
机译:不同电极的电极-SrZrO_3-SrRuO_3异质结构的电阻切换特性
机译:分子氧在Ru(001)上的吸附动力学和动力学,以及气相原子氧在预先覆盖的Pt(111)Ir(111)和Ru(001)表面上的反应动力学。
机译:原子层沉积的Al2O3 / HfO2 / Al2O3三层结构在非易失性存储应用中具有出色的电阻切换特性
机译:原子层沉积的AlO / HfO / AlO三层结构具有出色的电阻切换特性,适用于非易失性存储应用
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。