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【2h】

GaAs-GaAIAs injection lasers on semi-insulating substratesudusing laterally diffused junctions

机译：半绝缘衬底上的GaAs-GaAIAs注入激光器 ud使用横向扩散结

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Low‐threshold GaAs‐GaAlAs lasers operating in a stable single mode have been fabricated using laterally diffused junctions. The lasers are fabricated on semi‐insulating substrates and can be integrated with other components.

机译：使用横向扩散结制造了以稳定单模工作的低阈值GaAs-GaAlAs激光器。激光器是在半绝缘基板上制造的，可以与其他组件集成在一起。

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作者
Lee C. P.; Margalit S.; Ury I.; Yariv A.;
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作者单位

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年度 1978
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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