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Alloying to increase the band gap for improving thermoelectric properties of Ag_(2)Te

机译:合金化以增加带隙以改善Ag_(2)Te的热电性能

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摘要

Ag_(2)Te simultaneously shows high mobility and low thermal conductivity, however the relatively low band gap of ~0.2 eV prevents it from achieving high thermoelectric figure of merit, zT, in the high temperature phase. In this study, the band gap of Ag_(2)Te has been increased enabling a zT of unity by forming alloys and composites with PbTe, thereby demonstrating the importance of exploiting potentially good thermoelectrics among these small band gap semiconductors and similar materials.
机译:Ag_(2)Te同时显示出高迁移率和低导热率,但是〜0.2 eV的相对较低的带隙阻止了它在高温阶段获得高热电性能因数zT。在这项研究中,通过与PbTe形成合金和复合材料,提高了Ag_(2)Te的带隙,从而实现了zT的统一,从而证明了在这些小带隙半导体和类似材料中开发潜在良好热电学的重要性。

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