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【2h】

Characterization of oxide trap density with the charge pumping technique in dual-layer gate oxide

机译：用双层氧化物电荷泵浦技术表征氧化物阱密度

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Younghwan Son; Yoon Kim; Myounggon Kang;
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年度 2017
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1. Characterization of oxide trap density with the charge pumping technique in dual-layer gate oxide [J] . Younghwan Son, Yoon Kim, Myounggon Kang IEICE Electronics Express . 2017,第8期

机译：双层栅氧化物中利用电荷泵技术表征氧化物陷阱的密度
2. Characterization of Border Trap Density With the Multifrequency Charge Pumping Technique in Dual-Layer Gate Oxide [J] . Son Y., Park S., Kang T., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2011,第8期

机译：双层栅氧化物中多频电荷泵浦技术表征边界陷阱密度
3. Investigation of extra traps measured by charge pumping technique in high voltage zone in p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfO2/metal gate stacks [J] . Ho Szu-Han, Chang Ting-Chang, Wang Bin-Wei, Applied Physics Letters . 2013,第1期

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4. Charge pumping source-drain current for gate oxide interface trap density in MOSFETs and LDMOS [C] . Jifa Hao, Yuhang Sun, Amartya Ghosh International Reliability Physics Symposium . 2021

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5. Extraction of carrier mobility and interface trap density in InGaAs metal oxide semiconductor structures using gated Hall method. [D] . Chidambaram, Thenappan. 2015

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6. The metabolic N-oxidation of carcinogenic arylamines in relation to nitrogen charge density and oxidation potential. [O] . F F Kadlubar, P P Fu, H Jung, 1990

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8. Study of Gate Oxide Leakage and Charge Trapping in ZMR (Zone-Melting-Recrystallized) and SIMOX (Oxygen-Implanted) SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET's [R] . Lee, C. T., Burns, J. A. 1988

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