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Reliability issues and electrical characteristics of rare-earth oxides and their gate stacks grown on germanium substrates

机译：锗底物中稀土氧化物的可靠性问题及电气特性及其浇筑

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Md. Shahinur Rahman;
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1. Current instabilities in rare-earth oxides-HfO_2 gate stacks grown on germanium based metal-oxide-semiconductor devices due to Maxwell-Wagner instabilities and dielectrics relaxation [J] . M. S. Rahman, E. K. Evangelou, A. Dimoulas, Journal of Vacuum Science & Technology . 2011,第1期

机译：由于麦克斯韦-瓦格纳不稳定性和介电常数弛豫，在基于锗的金属氧化物半导体器件上生长的稀土氧化物-HfO_2栅堆叠中的电流不稳定性
2. Gate stack dielectric degradation of rare-earth oxides grown on high mobility Ge substrates [J] . Shahinur Rahman Md., Evangelou E. K., Konofaos N., Journal of Applied Physics . 2012,第9期

机译：高迁移率Ge衬底上生长的稀土氧化物的栅堆叠介电降解
3. Gate stack dielectric degradation of rare-earth oxides grown on high mobility Ge substrates [J] . Md. Shahinur Rahman, E. K. Evangelou, N. Konofaos, Journal of Applied Physics . 2012,第9期

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4. Electrical characteristics and reliability of sub-3 nm gate oxides grown on nitrogen implanted silicon substrates [C] . Han, L.K., Crowder, . 1997

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5. An evaluation of the electrical, material, and reliability characteristics and process viability of zirconium oxide and nitrogen-incorporated zirconium oxide for future generation MOS gate dielectric. [D] . Nieh, Renee Elizabeth. 2002

机译：对用于下一代MOS栅极电介质的氧化锆和氮结合的氧化锆的电气，材料和可靠性特性以及工艺可行性的评估。
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7. Gate stack dielectric degradation of rare-earth oxides grown on high mobility Ge substrates [O] . Shahinur Rahman, Md., Evangelou, E. K., Konofaos, N., 2012

机译：高迁移率Ge衬底上生长的稀土氧化物的栅堆叠介电降解
8. Quality of Gate Oxides Grown on State-of-the-Art SIMOX and ZMR SOI Substrates.(Reannouncement with New Availability Information) [R] . Karulkar, P. C. 1993

机译：在最先进的sImOX和ZmR sOI基板上生长的栅极氧化物质量。（重新公布新的可用性信息）

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