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机译:BI:沉积气溶胶沉积法的磁性和光学性能的退火温度依赖性
Kwang-Ho Shin; Masahiko Mizoguchi; Mitsuteru Inoue;
机译:Bi-YIG薄膜的磁光特性与退火后温度的关系
机译:后退火温度对沉积在Si衬底上的Ce:YIG薄膜的微观结构和磁性的影响
机译:后退火温度对沉积在硅衬底上的Ce:YIG薄膜的微观结构和磁性的影响
机译:退火温度对SiO_2衬底上脉冲激光沉积薄膜结构和磁性的影响
机译:沉积后注入和退火对PECVD沉积氮化硅膜性能的影响
机译:退火温度对化学浴镀(CBD)技术在低溶液浓度下沉积的CdS薄膜光学光谱的影响
机译:载气流速对沉积气溶胶沉积法的Bi:Yig膜的磁性流速的影响
机译:-用于消除臭氧-TEOS氧化物膜的方法,该方法消除了基材的依赖性,并且提供了用于在多个温度下沉积材料膜的沉积设备。
机译:基于标准溶液的沉积技术沉积基于氢的前体膜的方法以及基于氢的前体溶液进行短时低温退火处理的方法
机译:基于标准溶液的沉积技术沉积金属硫属薄膜的方法及混合使用肼/氯化物作为溶剂的短时低温退火处理的方法
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