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【2h】

Absolute determination of charge-coupled device quantum detection efficiency using Si K-edge x-ray absorption fine structure

机译：使用Si k边缘X射线吸收精细结构绝对确定电荷耦合器件量子检测效率

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J. Dunn; A. B. Steel;
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年度 2012
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1. Absolute determination of charge-coupled device quantum detection efficiency using Si K-edge x-ray absorption fine structure [J] . Dunn J., Steel A. B. Review of Scientific Instruments . 2012,第10期

机译：利用Si K-edge x射线吸收精细结构绝对确定电荷耦合器件的量子检测效率
2. MAPPING X-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE IN THE QUANTUM EFFICIENCY OF AN X-RAY CHARGE-COUPLED DEVICE [J] . Owens A., Keay A., Wells A., X-Ray Spectrometry: An International Journal . 1996,第1期

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3. Fe K-Edge X-ray Absorption Fine Structure Determination of -Al2O3-Supported Iron-Oxide Species [J] . Tomita Atsuko, Miki Takeshi, Tango Takeru, Chemphyschem: A European journal of chemical physics and physical chemistry . 2015,第9期

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4. X-Ray Absorption Fine Structure Utilizing a Fluorescence Spectrometer: Site Selective Structure Determination of Environmental Catalysts and Adsorbents [C] . Yasuo Izumi, Fumitaka Kiyotaki, Hiroyasu Nagamori, Tokyo Conference on Advanced Catalytic Science and Technology . 2003

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