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【2h】

Evaluation Based on TCAD Simulation of Failure Tolerance of the Elements on the Cells STG DICE for 65-nm CMOS Blocks of Associative Memory

机译：基于TCAD模拟Consoce Memory对65-NM CMOS块的元素的TCAD仿真的TCAD模拟

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Yu.V. Katunin; V.Ya. Stenin;
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年度 2019
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