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【2h】

Multi-layered NiOy/NbOx/NiOy fast drift-free threshold switch with high Ion/Ioff ratio for selector application

机译：多层Nioy / Nox / Nioy快速漂移阈值开关具有选择器应用的高离子/ IOFF比率

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Jaehyuk Park; Tobias Hadamek; Agham B. Posadas; Euijun Cha; Alexander A. Demkov; Hyunsang Hwang;
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年度 2017
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1. Improved threshold switching characteristics of multi-layer NbOx for 3-D selector application [J] . Park Jaehyuk, Cha Euijun, Lee Daeseok, Microelectronic Engineering . 2015,第NOVa1期

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2. Improved unipolar resistive switching characteristics of mixed-NiOx/NiOy-film-based resistive switching memory devices [J] . Liu Lifeng, Hou Yi, Chen Bing, Japanese journal of applied physics . 2015,第9期

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3. Threshold Switching Selectors: A Threshold Switching Selector Based on Highly Ordered Ag Nanodots for X‐Point Memory Applications (Adv. Sci. 10/2019) [J] . Qilin Hua, Huaqiang Wu, Bin Gao, Advanced Science . 2019,第10期

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4. Mg-Te OTS selector with Low Ioff ( < 100 pA), Fast Switching Speed (τd = 7 ns), and High Thermal Stability (400 °C / 30min) for X-point Memory Applications [C] . Sangmin Lee, Jangsub Lee, Seonghun Kim, IEEE Symposium on VLSI Technology . 2021

机译：MG-TE OOT OOFF（<100PA），快速开关速度（τd= 7 ns），以及用于X点存储器应用的高热稳定性（400°C / 30min）
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机译：选择器应用的热感应门限开关装置的研究
6. Multi-layered NiOy/NbOx/NiOy fast drift-free threshold switch with high Ion/Ioff ratio for selector application [O] . Jaehyuk Park, Tobias Hadamek, Agham B. Posadas, -1

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7. Coloration Mechanism in Proton-Intercalated Electrochromic Hydrated NiOy and Ni1-xVxOy Thin Films [O] . Avendano, Esteban, Rensmo, Håkan, Azens, A, 2009

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