首页> 外文OA文献 >Erratum: “Piezoelectric properties and poling effect of Pb(Zr,Ti)O3 thick films prepared for microactuators by aerosol deposition” Appl. Phys. Lett. 77, 1710 (2000)

【2h】

Erratum: “Piezoelectric properties and poling effect of Pb(Zr,Ti)O3 thick films prepared for microactuators by aerosol deposition” Appl. Phys. Lett. 77, 1710 (2000)

机译：错误：“通过气溶胶沉积制备微致动器的Pb（Zr，Ti）O3厚膜的压电性能和极化效应”苹果。物理。吧。 77,1710（2000）

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
J. Akedo; M. Lebedev;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2001
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Erratum: “Direct observation of fatigue in epitaxially grown Pb(Zr,Ti)O3 thin films using second harmonic piezoresponse force microscopy”[Appl. Phys. Lett. 99, 052904 (2010)] [J] . Murari Nishit M., Hong Seungbum, Nyung Lee Ho, Applied Physics Letters . 2012,第11期

机译：勘误表：“使用二次谐波压电响应力显微镜直接观察外延生长的Pb（Zr，Ti）O3薄膜的疲劳” [Appl。物理来吧99，052904（2010）]
2. Comment on “Complete sets of elastic, dielectric, and piezoelectric properties of flux-grown [011]-poled Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−(28–32)% PbTiO3 single crystals” [ Appl. Phys. Lett. 92, 142906 (2008) ] [J] . V. Yu. Topolov Applied Physics Letteres . 2010,第19期

机译：评述“通量生长的[011]极化Pb（Mg1 / 3Nb2 / 3）O3-（28-32）％PbTiO3单晶的弹性，介电和压电性能的完整集合” [附录。物理来吧92，142906（2008）]
3. Erratum: 'Anisotropic ferro- and piezoelectric properties of sol-gel grown Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) films with two different orientations on Pt/Ti/SiO_2/Si' [Appl. Phys. Lett. 89, 062905 (2006)] [J] . C. J. Lu, X. L. Liu, X. Q. Chen, Applied Physicsletters . 2008,第10期

机译：勘误表：“在Pt / Ti / SiO_2 / Si上具有两种不同取向的溶胶-凝胶生长的Bi_（3.15）Nd_（0.85）Ti_3O_（12）薄膜的各向异性铁和压电特性”物理来吧89，062905（2006）]
4. High temperature performance of PbTiO3/Pb(Zr, Ti)O3 thick films poled by pulse discharge at room temperature [C] . Hikaru Kouyama, Takao Namihira, Makiko Kobayashi IEEE International Ultrasonics Symposium . 2017

机译：通过脉冲放电在室温下通过脉冲放电极高的PBTIO3 / Pb（Zr，Ti）O3厚膜的高温性能
5. Erratum: A complete set of material properties of single domain 0.26Pb(In1∕2Nb1∕2)O3–0.46Pb(Mg1∕3Nb2∕3)O3–0.28PbTiO3 single crystals Appl. Phys. Lett. 96 012907 (2010) [O] . Xiaozhou Liu, Shujun Zhang, Jun Luo, -1

机译：勘误表：完整的单畴0.26Pb（In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2）O3-0.46Pb（Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3）O3-0.28PbTiO3单晶的材料性能附录。物理来吧96012907（2010）
6. Erratum: “Effect of low-frequency alternating current poling on 5-mm-thick 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3 single crystals” Appl. Phys. Lett. 115, 192904 (2019) [O] . Chengtao Luo, Haotian Wan, Wei-Yi Chang, 2019

机译：错误：“低频交流电流搅拌对5毫米厚的0.7pb（mg1 / 3nb2 / 3）O3-0.3pbtio3单晶”Appl。物理。吧。 115,192904（2019）
7. A-SITE-AND/OR B-SITE-MODIFIED PBZRTIO3 MATERIALS AND (PB, SR, CA, BA, MG) (ZR, TI,NB, TA)O3 FILMS HAVING UTILITY IN FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORIES AND HIGH PERFORMANCE THIN FILM MICROACTUATORS [R] . 2004

机译：a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和（pB，sR，Ca，Ba，mG）（ZR，TI，NB，Ta）O3薄膜，具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性

Erratum: “Piezoelectric properties and poling effect of Pb(Zr,Ti)O3 thick films prepared for microactuators by aerosol deposition” Appl. Phys. Lett. 77, 1710 (2000)

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅