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【2h】

First Demonstration of Short-Circuit Capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS

机译：用于1.2 kV SIC开关-MOS的短路能力的首次演示

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Masataka Okawa; Ruito Aiba; Taiga Kanamori; Yusuke Kobayashi; Shinsuke Harada; Hiroshi Yano; Noriyuki Iwamuro;
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年度 2019
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2. Demonstration of Superior Static, Dynamic, and Short-Circuit Performance of 1.2 kV 4H-SiC Split-Gate Octagonal Cell MOSFETs Compared with Linear, Square, and Hexagonal Topologies [J] . Kijeong Han, Ajit Kanale, B. Jayant Baliga, Materials science forum . 2020,第期

机译：与线性，方形和六边形拓扑相比，静态静态，动态和短路性能的卓越静态，动态和短路性能的演示与线性，方形和六边形拓扑相比
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