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【2h】

Improved Ultrahigh Upper Gate 4H-SiC MESFET with Serpentine Channel Structure

机译：用蛇形通道结构改进超高栅极4H-SIC MESFET

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作者
Hu-jun JIA; Ye-hui LUO; Pei-miao MA;
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年度 2017
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2. A novel 4H-SiC MESFET with serpentine channel for high power and high frequency applications [J] . Hujun Jia, Yehui Luo, Hang Zhang, Superlattices and microstructures . 2017,第JANa期

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3. Improved double-recessed P-buffer 4H-SiC MESFETs with partial heavy doped channel [J] . Jia Hujun, Yang Zhihui, Wu Qiuyuan, Materials science in semiconductor processing . 2016,第Null期

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4. Simulation of Improved 3D tri-gate 4H-SiC MESFETs with Recessed Drift Region [C] . HU Linrong, HU Chunhua International Conference on Communications, Circuits and Systems Proceedings . 2008

机译：具有凹陷漂移区的改进型3D三栅4H-SiC MESFET的仿真
5. 4H-SiC Trench-Gate MOSFET: Practical Surface-Channel Mobility Extraction [D] . Harmon, Jeffrey Lee. 2019

机译：4H-SIC沟槽MOSFET：实用的表面沟道迁移率提取
6. An Improved 4H-SiC MESFET with a Partially Low Doped Channel [O] . Hujun Jia, Yibo Tong, Tao Li, 2019

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7. An Improved 4H-SiC MESFET with a Partially Low Doped Channel [O] . Hujun Jia, Yibo Tong, Tao Li, 2019

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