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Contact-limited currents in metal-insulator-metal structures

机译:金属-绝缘体-金属结构中的接触极限电流

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摘要

The physical mechanisms underlying current flow in solid-state MIM structures are reviewed with emphasis on criteria for determining the dominant conduction mechanism in a given experimental situation. Measurements of the bias and temperature dependence of currents through structures incorporating a thin film of single-crystal gallium selenide are reported, and are shown to be in excellent agreement with the predictions of a simple physical model of contact-limited emission. Independently measured properties of bulk single-crystal gallium selenide are used in all calculations; no adjustable parameters are employed. We believe that this study presents unequivocal evidence for contact-limited thermionic currents in solid-state MIM structures.
机译:审查了固态MIM结构中电流流动的物理机制,重点是在给定实验情况下确定主导传导机制的标准。据报道,通过结合了单晶硒化镓薄膜的结构对电流的偏置和温度依赖性进行了测量,并与接触限制发射的简单物理模型的预测非常吻合。在所有计算中均使用独立测量的块状单晶硒化镓的性能;没有使用可调参数。我们相信,这项研究为固态MIM结构中接触受限的热电子电流提供了明确的证据。

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