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【2h】

Low Temperature Ni-Al Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC Using Semi-Salicide Processing

机译：低温Ni-Al欧姆接触P型4H-SiC使用半蒜水处理

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Mattias Ekström; Shuoben Hou; Hossein Elahipanah; Arash Salemi; Mikael Östling; Carl Mikael Zetterling;
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年度 2018
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1. Low Temperature Ni-Al Ohmic Contacts to P-TYPE 4H-SiC Using Semi-Salicide Processing [J] . Mattias Ekström, Shuoben Hou, Hossein Elahipanah, Materials science forum . 2018,第期

机译：使用半硅化处理工艺对P型4H-SiC进行低温Ni-Al欧姆接触
2. Temperature stable Pd ohmic contacts to p-type 4H-SiC formed at low temperatures [J] . Kassamakova L., Kakanakov R.D. IEEE Transactions on Electron Devices . 1999,第3期

机译：与低温形成的p型4H-SiC具有温度稳定性的Pd欧姆接触
3. Ohmic contact on n- and p-type ion-implanted 4H-SiC with low-temperature metallization process for SiC MOSFETs [J] . Shimizu Haruka, Shima Akio, Shimamoto Yasuhiro, Japanese journal of applied physics . 2017,第4S期

机译：SiC MOSFET的低温金属化工艺在n型和p型离子注入4H-SiC上的欧姆接触
4. Low Temperature Ni-AI Ohmic Contacts to P-TYPE 4H-SiC Using Semi-Salicide Processing [C] . Mattias Ekstrom, Shuoben Hou, Hossein Elahipanah, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials . 2018

机译：低温Ni-AI欧姆接触P型4H-SiC使用半蒜水处理
5. Development of nonspiking ohmic contacts to n-Ga(or Al)(0.5)In(0.5)P and low temperature processed ohmic contacts to n-GaAs via solid phase reactions [D] . Hao, Pinghai 1997

机译：通过固相反应开发与n-Ga（或Al）（0.5）In（0.5）P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
6. Ohmic Contacts on p-Type Al-Implanted 4H-SiC Layers after Different Post-Implantation Annealings [O] . Monia Spera, Giuseppe Greco, Domenico Corso, 2019

机译：在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
7. On the Schottky barrier height lowering effect of Ti3SiC2 in ohmic contacts to p-type 4H-SiC [O] . Fisher Craig A., Pérez-Tomás Amador 2015

机译：Ti3SiC2在p型4H-SiC欧姆接触中的肖特基势垒高度降低效应

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