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【2h】

Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiNx Deposition

机译：使用SINX沉积控制AlGaN / GaN Hemts的缓冲诱导的电流塌陷

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William M. Waller; Mark Gajda; Saurabh Pandey; Johan J. T. M. Donkers; David Calton; Jeroen Croon; Jan Sonsky; Michael J. Uren; Martin Kuball;
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年度 2017
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1. Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiN Deposition [J] . William M. Waller, Mark Gajda, Saurabh Pandey, IEEE Transactions on Electron Devices . 2017,第10期

机译：使用SiN沉积控制AlGaN / GaN HEMT中的缓冲诱导电流塌陷
2. AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low {V}_{sf {{th}}} Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator [J] . Zhili Zhang, Weiyi Li, Kai Fu, Electron Device Letters, IEEE . 2017,第2期

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3. Influence of NH_3-Plasma Pretreatment before Si_3N_4 Passivation Film Deposition on Current Collapse in AlGaN/GaN-HEMTs [J] . Shinichi HOSHI, Toshiharu MARUI, Masanori ITOH, IEICE Transactions on Electronics . 2006,第7期

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4. 600V 1.3m#x03BC;#x00B7;cm² low-leakage low-current-collapse AlGaN/GaN HEMTs with AlN/SiNx passivation [C] . Tang Zhikai, Huang Sen, Jiang Qimeng, International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs . 2013

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