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Reply to ‘‘Comment on ‘Rapid thermal annealing and regrowth of thermal donors’ ’’ J. Appl. Phys. 59, 3495 (1986)

机译：回复'对'快速热退火和热量供体的再生回复J。苹果。物理。 59,3495（1986）

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作者
H. J. Stein; S. K. Hahn; S. C. Shatas;
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年度 1987
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1. Erratum: Distribution of nitrogen and defects in SiOxNy/Si structures formed by the thermal nitridation of SiO2/Si [J. Appl. Phys. 59, 972 (1986)] [J] . Journal of Applied Physics . 1986,第11期

机译：勘误：通过SiO2 / Si热氮化形成的SiOxNy / Si结构中的氮分布和缺陷[J.应用物理59，972（1986）]
2. Response to 'Comment on 'Roles of donor and acceptor nanodomains in 6% efficient thermally annealed polymer photovoltaics' [Appl. Phys. Lett. 90, 163511 (2007)] [J] . David L. Carroll, Jiwen Liu, Manoj Namboothiry, Applied Physics Letters . 2008,第7期

机译：对“在有效效率为6％的热退火聚合物光伏电池中供体和受体纳米域的作用”的评论[Appl。物理来吧90，163511（2007）]
3. Comment on 'Roles of donor and acceptor nanodomains in 6% efficient thermally annealed polymer photovoltaics' [Appl. Phys. Lett. 90, 163511 (2007)] [J] . Moritz K. Riede, Toni Mueller, Bert Maennig, Applied Physics Letters . 2008,第7期

机译：评论“'在6％高效热退火聚合物光伏中的供体和受体纳米域的作用'[Appl。物理来吧90，163511（2007）]
4. Enhanced Formation of Thermal Donors in Germanium Doped Czochralski Silicon Pretreated by Rapid Thermal Annealing [C] . Xin Zhu, Deren Yang, Ming Li, International Autuman Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology . 2008

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5. Pulsed laser annealing and rapid thermal annealing of copper-indium-gallium-diselenide-based thin film solar cells. [D] . Wang, Xuege. 2005

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6. Comment on Independent corroboration of monitor unit calculations performed by a 3D computerized planning system J. Appl. Clin. Med. Phys. 1 120‐125 (2000) [O] . Dimitris N. Mihailidis 2001

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7. Comment on ‘‘Rapid thermal annealing and regrowth of thermal donors’’ J. Appl. Phys.59, 3495 (1986) [O] . W. C. O’Mara 1987

机译：评论“热源供体的快速热退火和再生”J。苹果。 Phys.59,3495（1986）

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