A Nanoscale Look in the Channel of 4H-SiC Lateral MOSFETs

机译：在4H-SIC横向MOSFET的频道中纳米级外观

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Patrick Fiorenza; Alessia Frazzetto; Lukas K. Swanson; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte;
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年度 2013
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1. A nanoscale look in the channel of 4H-SiC lateral MOSFETs [J] . Patrick Fiorenza, Alessia Frazzetto, Lukas K. Swanson, Materials science forum . 2013,第期

机译：4H-SiC横向MOSFET沟道的纳米级外观
2. Analysis of Interface Trap Density and Channel Mobility in 4H-SiC NMOS Capacitors and Lateral MOSFETs [J] . M. Domeij, J. Franchi, K. Gumaelius, Materials science forum . 2017,第期

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3. Systematic analysis of the high- and low-field channel mobility in lateral 4H-SiC MOSFETs [J] . C. Strenger, V. Uhnevionak, V. Mortet, Materials science forum . 2014,第pta1期

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4. A Nanoscale Look in the Channel of 4H-SiC Lateral MOSFETs [C] . Patrick Fiorenza, Alessia Frazzetto, Lukas K. Swanson, ECSCRM 2012 . 2013

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5. 4H-SiC Trench-Gate MOSFET: Practical Surface-Channel Mobility Extraction [D] . Harmon, Jeffrey Lee. 2019

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