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【2h】

Surge Driven Evolution of Schottky Barrier Height on 4H-SiC JBS Diodes

机译：4H-SIC JBS二极管上肖特基势垒高度的激增驱动的演变

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Besar Asllani; Jean Baptiste Fonder; Pascal Bevilacqua; Dominique Planson; Luong Viet Phung; Pierre Brosselard;
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年度 2018
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1. Surge Driven Evolution of Schottky Barrier Height on 4H-SiC JBS Diodes [J] . Besar Asllani, Jean Baptiste Fonder, Pascal Bevilacqua, Materials science forum . 2018,第期

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2. Evaluation of Schottky barrier height on 4H-SiC m-face {1(1)over-bar00} for Schottky barrier diode wall integrated trench MOSFET [J] . Kobayashi Yusuke, Ishimori Hiroshi, Kinoshita Akimasa, Japanese journal of applied physics . 2017,第4S期

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