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【2h】

Irreversible event-based model for thermal emission of electrons from isolated traps

机译：基于不可逆转的事件基于隔离陷阱的电子热排放模型

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Griffith Sciences, Griffith School of Engineering

机译：格里菲斯科学学院工程学院

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作者
Sima Dimitrijev;
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年度 2009
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正文语种 eng
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1. Irreversible event-based model for thermal emission of electrons from isolated traps [J] . Sima Dimitrijev Journal of Applied Physics . 2009,第10期

机译：基于不可逆事件的孤立陷阱的电子热发射模型
2. Tunneling and thermal emission of electrons from a distribution of deep traps in SiO/sub 2/ (nMOSFET) [J] . Hwang N., Or B.S.S. IEEE Transactions on Electron Devices . 1993,第6期

机译：SiO / sub 2 /（nMOSFET）中深陷阱的分布使电子的隧穿和热发射
3. Thermal re-emission of trapped hot electrons in NMOS transistors [J] . Or S.S.B., Forbes L. IEEE Transactions on Electron Devices . 1991,第12期

机译：NMOS晶体管中捕获的热电子的热再发射
4. Thermal Re-Emission of Trapped Hot Electrons in NMOS Transistors [C] . Or, S.S.B., Forbes, . 2001

机译：NMOS晶体管中捕获的热电子的热释放
5. Migration of electrons and holes in DNA exposed to low-LET irradiation: A study of free radical trapping in DNA and DNA model systems [D] . Milano, Michael Thomas 1998

机译：暴露于低LET辐射的DNA中电子和空穴的迁移：DNA和DNA模型系统中自由基捕获的研究
6. Characterization of suprathermal electrons inside a laser accelerated plasma via highly-resolved K⍺-emission [O] . M. Šmíd, O. Renner, A. Colaitis, -1

机译：通过高度解析的K⍺发射表征激光加速等离子体中的超热电子
7. Detection of electron and hole traps in CdZnTe radiation detectors by thermoelectric emission spectroscopy and thermally stimulated conductivity [O] . Edwin Y. Lee, Bruce A. Brunett, Richard W. Olsen, 1998

机译：<标题>热电发射光谱和热刺激电导率的Cdznte辐射检测器中的电子和孔阱检测

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