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【2h】

Time dependent dielectric wearout (TDDW) technique for reliability of ultrathin gate oxides

机译：用于超薄栅极氧化物可靠性的时间依赖介电磨损（TDDW）技术

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D. Bang; G. Lucovsky;
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年度 1999
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1. Time dependent dielectric wearout (TDDW) technique for reliability of ultrathin gate oxides [J] . Yider Wu, Qi Xiang IEEE Electron Device Letters . 1999,第6期

机译：时间相关的介电损耗（TDDW）技术可确保超薄栅极氧化物的可靠性
2. Wearout, Quasi Breakdown, and Annealing of Ultrathin Dielectrics Impact on Complementary Metal Oxide Semiconductor Performance and Reliability [J] . M.Okandan, S.J.Fonash Electrochemical and solid-state letters . 1999,第11期

机译：超薄电介质的磨损，准击穿和退火对互补金属氧化物半导体性能和可靠性的影响
3. Molecular model for intrinsic time-dependent dielectric breakdown in SiO_2 dielectrics and the reliability implications for hyper-thin gate oxide [J] . J W McPherson, R B Khamankar Semiconductor science and technology . 2000,第5期

机译：SiO_2介质中固有的时间相关介电击穿的分子模型及其对超薄栅极氧化物的可靠性的影响
4. Dielectric breakdown induced epitaxy in ultrathin gate oxide - a reliability concern [C] . Pey K.L., Tung C.H., Radhakrishnan M.K., Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International . 2002

机译：介电击穿引起的超薄栅氧化物外延-可靠性问题
5. Integration of ultrathin (1.6 -- 2.0 nm) RPECVD stacked oxide/oxynitride gate dielectrics into dual poly-Si gate submicron CMOSFETs. [D] . Yang, Hanyang. 1999

机译：将超薄（1.6-2.0 nm）RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
6. A Comparative Study of E-Beam Deposited Gate Dielectrics on Channel Width-Dependent Performance and Reliability of a-IGZO Thin-Film Transistors [O] . Gwomei Wu, Anup K. Sahoo, Dave W. Chen, 2018

机译：电子束沉积栅极电介质对a-IGZO薄膜晶体管的沟道宽度相关性能和可靠性的比较研究
7. Interface trap and oxide charge generation under negative bias temperature instability of p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultrathin plasma-nitrided SiON gate dielectrics [O] . Shiyang Zhu, Anri Nakajima, Takuo Ohashi, 2005

机译：具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生

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