Reactive Ion Etch of Si3N4 Spacers High Selective to Germanium

机译：Si3N4间隔物的反应离子蚀刻高选择性锗

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1. Controlled gradual and local thinning of free-standing nanometer thick Si3N4 films using reactive ion etch [J] . Guzel Fatma Dogan, Pitchford William H., Kaur Jaspreet Microsystem technologies . 2020,第4期

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2. Selective Si3N4 etch in Single Wafer Application [J] . D. Martin Knotter, Nigel Stewart, Ian Sharp Diffusion and Defect Data. Solid State Data, Part B. Solid State Phenomena . 2005,第0期

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5. Plasma characterization and correlation with the etch rate and via sidewall angle in a deep reactive ion etch system using Langmuir probe and optical emission spectroscopy. [D] . Koirala, Sudip Prasad. 2010

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