机译:使用具有不同缓冲层的6H-SiC(0001)衬底生长的GaN层的表面形态和应变
机译:通过在GaAs上通过MBE生长的(x = 0.05-0.83)(x = 0.05-0.83)在GaAs(001)上生长的(x = 0.05-0.83)的结构特性和表面形态的优化
机译:AlN缓冲层对在邻近C面SiC衬底上生长的N极GaN膜的表面形态和结构性能的影响
机译:缓冲层和III / V比对MBE生长的甘蓝表面形态的影响
机译:MBE生长的纳米级铂/氟化钙/硅(111)结构的热电子传输和表面形态研究。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:大功率紫外光辐照下双缓冲层上MBE生长GaN探测器的特性
机译:mBE生长的III-V应变松弛缓冲层和超晶格,其特征在于原子力显微镜