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Identification of Microscopic Hole-Trapping Mechanisms in Nitride Semiconductors

机译：氮化物半导体中微观空穴捕获机制的识别

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John L. Lyons; Karthik Krishnaswamy; Luke Gordon; Anderson Janotti; Chris G. Van de Walle;
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年度 2016
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1. Identification of Microscopic Hole-Trapping Mechanisms in Nitride Semiconductors [J] . Lyons John L., Krishnaswamy Karthik, Gordon Luke, Electron Device Letters, IEEE . 2016,第2期

机译：氮化物半导体中微观空穴陷阱机理的识别
2. Capture and emission mechanisms of defect states at interface between nitride semiconductor and gate oxides in GaN-based metal-oxide- semiconductor power transistors [J] . Huang Sen, Wang Xinhua, Liu Xinyu, Journal of Applied Physics . 2019,第16期

机译：GaN基金属氧化物半导体功率晶体管氮化物半导体和栅极氧化物界面界面缺陷状态的捕获和排放机制
3. Nucleus and spiral growth mechanisms of nitride semiconductors in metalorganic vapor phase epitaxy [J] . Tetsuya Akasaka, Hideki Yamamoto Japanese journal of applied physics . 2014,第10期

机译：金属有机气相外延中氮化物半导体的核和螺旋生长机理
4. Mid infrared luminescence of dilute nitride semiconductors: microscopic approach vs experiments [C] . C. I. Oriaku, M. F Pereira Conference on terahertz emitters, receivers, and applications . 2014

机译：稀氮化物半导体的中红外发光：微观方法与实验
5. Identification of phonon scattering mechanisms in silicon nitride by means of high-temperature thermal diffusivity measurements. [D] . McIntosh, Joseph James. 2001

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6. Ternary nitride semiconductors in the rocksalt crystal structure [O] . Sage R. Bauers, Aaron Holder, Wenhao Sun, 2019

机译：岩盐晶体结构中的三元氮化物半导体
7. Novel Reconstruction mechanisms: A comparison between group-III-nitrides and "traditional" III-V-semiconductors [O] . Zywietz, T. K., Neugebauer, J., Scheffler, M., 1998

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8. Identification of nitriding mechanisms in high purity reaction bonded silicon nitride. [R] . Haggerty, J. S. 1993

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