机译:重新检查硅片自夸缩电荷状态和缺陷水平:密度泛函理论和界限分析研究
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机译:没有带隙问题的缺陷形成能:结合密度泛函理论和Gw方法进行硅自填隙
机译:半导体和绝缘体中密度泛函理论点缺陷水平范围的界线
机译:通过密度泛函研究硅橡胶中的空间电荷分析和陷阱能级评估
机译:硅和锗中配位约束多激子复合体的密度泛函理论。
机译:D-π-A型卟啉染料中电荷转移的增强:密度泛函理论(DFT)和时变密度泛函理论(TD-DFT)的研究
机译:没有带隙问题的缺陷形成能量:结合密度泛函理论和硅自组织间隙的GW方法