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Storage Density of Shift-Multiplexed Holographic Memory

机译:移位多重全息存储器的存储密度

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摘要

The storage density of shift-multiplexed holographic memory is calculated and compared with experimentally achieved densities by use of photorefractive and write-once materials. We consider holographic selectivity as well as the recording material s dynamic range (M /#) and required diffraction efficiencies in formulating the calculations of storage densities, thereby taking into account all major factors limiting the raw storage density achievable with shift-multiplexed holographic storage systems. We show that the M /# is the key factor in limiting storage densities rather than the recording material s thickness for organic materials in which the scatter is relatively high. A storage density of 100 bits m2 is experimentally demonstrated by use of a 1-mm-thick LiNbO3 crystal as the recording medium.
机译:计算了移位多路复用全息存储器的存储密度,并通过使用光折射和一次写入材料将其与实验获得的密度进行了比较。在计算存储密度的计算时,我们考虑了全息图的选择性以及记录材料的动态范围(M /#)和所需的衍射效率,从而考虑到所有主要因素限制了移位多路复用全息图存储系统可达到的原始存储密度。我们表明,M /#是限制存储密度的关键因素,而不是散射相对较高的有机材料的记录材料厚度。通过使用1毫米厚的LiNbO3晶体作为记录介质,实验证明了100位m2的存储密度。

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