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InGaAsP p-i-n photodiodes for optical communication at the 1.3-µm wavelength

机译:InGaAsP p-i-n光电二极管,用于1.3 µm波长的光通信

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摘要

The preparation and properties of Cd-diffused p-n homojunction InGaAsP photodiodes designed specifically for operation at the 1.3-µm wavelength are described. At a reverse bias of 10 V, the dark current of these diodes was as low as 15 pA. The peak responsivity at 1.3-µm wavelength was 0.7 A/W. An impulse response (full width at half maximum) of 60 ps and a 3-dB bandwidth of 5.5 GHz were achieved. J
机译:描述了专门为在1.3 µm波长下工作而设计的Cd扩散的p-n同质结InGaAsP光电二极管的制备和性能。在10 V的反向偏置下,这些二极管的暗电流低至15 pA。在1.3 µm波长处的峰值响应率为0.7 A / W。实现了60 ps的脉冲响应(半高全宽)和5.5 GHz的3 dB带宽。 Ĵ

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